INTRODUCCION
DDR4 es la última evolución de memoria Sincrona DRAM, es la tecnología de memoria más comunmente utilizada en servidores, ordenadores de escritorio y portátiles.
Después de años de desarrollo, DDR4 introduce una serie de mejoras con respecto a la generación anterior DDR3, con una velocidad de 2133 e incrementos de velocidad previstos, que podrian llevarla a sobrepasar los 3200.
Además DDR4 consume hasta un 40% menos de energía que DDR3 necesitando solo 1,2V por DIMM, en comparación son 1,5V de DDR3.
Además DDR4 consume hasta un 40% menos de energía que DDR3 necesitando solo 1,2V por DIMM, en comparación son 1,5V de DDR3.
DDR4 apolla el uso de chips DRAM se mayor densidad y tecnologías de apilamiento que se traducen en módulos de mayor capacidad, quizás incluso pueden alcanzar los 256GB en un solo DIMM en un futuro o no muy lejano.
Las mejoras mas importantes de la memoria DDR4 tienen que ver con la confiabilidad de los datos, estas incluyen la mejora de los controles de redundancia cíclica (CRC), detección de paridad en el chip para la verificación de la integridad de las transferencias de comandos y direcciones, asi como una mayor integridad de la señal.
Físicamente, los DIMM DDR4 son muy similares a los DDR3.
Sin embargo, una comparación lado a lado revela algunos cambion sútiles.
Por ejemplo DDR4 tiene 288 pines, a diferencia de los 240 de DDR3.

La muesca también ha cambiado de ubicación, esto es para evitar que alguién accidentalmente las inserte en ordenadores incompatibles más antiguas.
La curva en el centro del DIMM es para darle más resistencia al modulo cuando se presiona en el zócalo, y proporcionará un mejor contacto electrónico.
FUNCIONAMIENTO

1) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica alta cuándo indica el valor 1.
2) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo indica el valor 0.
3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la información se pierde.
4) Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 ó un 1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente poco eficaces.
DEFINICIÓN
DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata de el estándar desarrollado inicialmente por la firma Samsung® para el uso con nuevas tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), cuentan con 288 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación con soporte Intel® Haswell-E (X99). También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
PARTES POR LAS QUE SE COMPONE
1)Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.
2)Chips: son módulos de memoria volátil.
3)Conector de 288 terminales: base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR4.
4)Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR4.
CONECTORES
VELOCIDAD DE MEMORIA
TIEMPO DE ACCESO A MEMORIA
CAPACIDAD DE ALMACENAMIENTO
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